DI005N06SQ2
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI005N06SQ2 MOSFET, SO-8, N+N, 60V, 5A, 40mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI005N06SQ2

Typ	SMD
Gehäuse	SO-8
Qualification	Industrial Grade
Config	Dual
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N+N
Drain-Source-Spannung	VDS	60 V
Drain Current 25°C	ID	5.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0400 Ω
	@ ID	4.500 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID
On-Resistance 2	RDSon2	0.0550 Ω
	@ ID	3.500 A
	@ VGS	5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	1.700 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	30.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.0 V
	VGSth max	3.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	7 ns
Anstiegszeit	tr	8 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	20 ns
Abfallzeit	tf	4 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	22.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	3 nC
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss	1295 pF
Output Capacitance	Coss	65 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	40 pF
Reverse recovery charge	Qrr	12 nC