DI005N03PW-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI005N03PW-AQ MOSFET, PowerQFN 2x2, N, 30V, 5A, 20mΩ, 150°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI005N03PW-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 2x2
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein

ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	30 V

Drain Current 25°C	ID	5.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0200 Ω
	@ ID	10 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID
On-Resistance 2	RDSon2	0.0320 Ω
	@ ID	8.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	0.700 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	40.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.0 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	10 ns
Anstiegszeit	tr	17 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	10 ns
Abfallzeit	tf	10 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	11.7 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	3 nC
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss	448 pF
Output Capacitance	Coss	63 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	40 pF
Reverse recovery charge	Qrr	2 nC