DI005F060D1
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistoren) Leistungsschalter für Umrichter
Artikelbezeichnung	DI005F060D1 IGBT, DPAK, N-Fast, 600 V, 5 A
Mindestbestellmenge	2.500
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI005F060D1

Typ	SMD
Gehäuse	TO-252AA/D-PAK
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	n/a

Kollektor-Emitter Spannung S	VCES	600 V
DC Kollektor Strom 100°C	IC100	5 A
Kollektor-Spitzenstrom	ICM	0 A

Polarität	pol	N-Fast
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	52.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location
Gate-Emitter Schwellspannung	VGEthmin	3.5 V
	VGEth	0.0 V
	VGEthmax	6.5 V
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung	VCEsat100	1.80 V
	@ IC100	5 A
	@ VGE	15 V
Anstiegszeit	tr	14 ns
Abfallzeit	tf	145 ns