DI005C04PTK-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI005C04PTK-AQ MOSFET, PowerQFN 3x3-Dual, N+P, 40V, 5A, 3.5mΩ, 150°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI005C04PTK-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 3x3-Dual
Qualification	AEC-Q101
Config	Dual
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Ja
Polarität	pol	N+P
Drain-Source-Spannung	VDS	40 V

Drainstrom 25°C	ID	5.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0035 Ω
	@ ID	2.500 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID
On-Widerstand 2	RDSon2	0.0520 Ω
	@ ID	2.500 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	12.500 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	20.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.2 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)
Anstiegszeit	tr	11 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)
Abfallzeit	tf	9 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	0 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas
Eingangskapazität	Ciss
Ausgangskapazität	Coss	tbd pF
Rückwirkungskapazität	Crss	0 pF
Sperrverzugsladung	Qrr