DI004N06PWK-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI004N06PWK-AQ MOSFET, PowerQFN 2x2, N, 60V, 4A, 57mΩ, 150°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI004N06PWK-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 2x2
Qualification	AEC-Q101
Config	Single Protected
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein

ESD protection	ESD protected	Ja
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	60 V

Drain Current 25°C	ID	4.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0570 Ω
	@ ID	4 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID
On-Resistance 2	RDSon2	0.0700 Ω
	@ ID	3.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	1.650 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	16.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.0 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	5 ns
Anstiegszeit	tr	21 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	15 ns
Abfallzeit	tf	23 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	2 nC
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss	651 pF
Output Capacitance	Coss	28 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	26 pF
Reverse recovery charge	Qrr	2.8 nC