DI003N03SQ2
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI003N03SQ2 MOSFET, SO-8, N+N, 30V, 3A, 50mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI003N03SQ2

Typ	SMD
Gehäuse	SO-8
Qualification	Industrial Grade
Config	Dual
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N+N
Drain-Source-Spannung	VDS	30 V
Drain Current 25°C	ID	3.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0500 Ω
	@ ID	1 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	1.900 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.0700 Ω
	@ ID	1.000 A
	@ VGS	5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	1.600 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	9.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.0 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	19 ns
Anstiegszeit	tr	20 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	12 ns
Abfallzeit	tf	8 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	4.5 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	1 nC
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss	121 pF
Output Capacitance	Coss	45 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	11 pF
Reverse recovery charge	Qrr	8 nC