DI002N10PWK
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI002N10PWK MOSFET, PowerQFN 2x2, N, 100V, 2A, 0.25Ω, 150°C
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI002N10PWK

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 2x2
Qualification	Industrial Grade
Config	Single Protected
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	1

ESD protection	ESD protected	Ja
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	100 V

Drain Current 25°C	ID	2.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.2500 Ω
	@ ID	2 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID
On-Resistance 2	RDSon2	0.2600 Ω
	@ ID	1.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	2.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	8.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.2 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	10 ns
Anstiegszeit	tr	4 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	8 ns
Abfallzeit	tf	13 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	8.4 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	1 nC
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss	454 pF
Output Capacitance	Coss	17 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	13 pF
Reverse recovery charge	Qrr	15 nC