DI001N60U
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI001N60U MOSFET, SOT-89, N, 600V, 1A, 15Ω, 150°C
Mindestbestellmenge	1.000
Bestand	1.000
Zollnummer	85412900
RoHS
REACH	not declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI001N60U

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-89
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	1

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	600 V

Drainstrom 25°C	ID	1.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	15.00000 Ω
	@ ID	0.500 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID
On-Widerstand 2	RDSon2	0.0550 Ω
	@ ID	0.000 A
	@ VGS	0 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	8.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Junction
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	0.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	3 ns
Anstiegszeit	tr	16 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	10 ns
Abfallzeit	tf	36 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	7.8 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	1 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	3.5 mJ
Eingangskapazität	Ciss	128 pF
Ausgangskapazität	Coss	18 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	3 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	400.0 nC