BSS806N
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	BSS806N MOSFET, SOT-23, N, 20V, 2.3A, 57mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	3.000
Bestand	0
Zollnummer	85412100
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	BSS806N

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-23
Qualification	Industrial Grade
Config	Single Protected
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	1

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	20 V

Drainstrom 25°C	ID	2.300 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.05700 Ω
	@ ID	2.300 A
	@ VGS	2.5 V
Drainstrom 100°C	ID
On-Widerstand 2	RDSon2	0.08200 Ω
	@ ID	1.300 A
	@ VGS	1.8 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	0.500 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	15.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.5 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	8 ns
Anstiegszeit	tr	10 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	12 ns
Abfallzeit	tf	4 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	2 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	10.8 mJ
Eingangskapazität	Ciss	370 pF
Ausgangskapazität	Coss	118 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	20 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	3.3 nC