2N7002W
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)
(Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung 2N7002W
MOSFET, SOT-323, N, 60V, 0.115A, 13.5Ω, 150°C
Mindestbestellmenge 3.000
Bestand 354.000
Zollnummer 85412100
Ursprung CN
RoHS / REACH Ja

Verfügbarkeit bei Distributoren

Technische Daten

Artikelnummer 2N7002W
2N7002W Single
Typ SMD
Gehäuse SOT-323
Qualification Industrial Grade
Config Single
Life Cycle active
ESD sensitive Nein
 
ESD protection ESD protected Nein
Polarität pol N
Drain-Source-Spannung VDS 60 V
Drain Current 25°C ID 0.115 A
On-Resistance 1 RDSon1 13.5000
@ ID 0.500 A
@ VGS 10 V
Drain Current 100°C ID
On-Resistance 2 RDSon2 7.5000
@ ID 0.050 A
@ VGS 5 V
Sperrschicht Temperatur Tjmax 150 °C
Verlustleistung Ptot 0.200 W
@ TLoc
Location
Avalanche Avalanche Nein
Drain-Spitzenstrom IDM 0.800 A
Schwellspannung VGSth min 1.0 V
VGSth max 2.0 V
Einschaltverzögerung tD(on)
Anstiegszeit tr
Ausschaltverzögerung tD(off)
Abfallzeit tf
Total Gate Charge (10V) Qg (10V)
Total Gate Charge (4.5V) Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge Qgd
Single pulse avalanche energy Eas
Input Capacitance Ciss 50 pF
Output Capacitance Coss 25 pF
Reverse Transfer Capacitance Crss 5 pF
Reverse recovery charge Qrr

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