2N7002W-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	2N7002W-AQ MOSFET, SOT-323, N, 60V, 0.115A, 13.5Ω, 150°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	3.000
Bestand	0
Zollnummer	85412100
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	2N7002W-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-323
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	1

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	60 V

Drainstrom 25°C	ID	0.115 A
On-Widerstand 1	RDSon1	13.5000 Ω
	@ ID	0.500 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID
On-Widerstand 2	RDSon2	7.5000 Ω
	@ ID	0.050 A
	@ VGS	5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	0.200 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	0.800 A
Schwellspannung	VGSth min	1.0 V
	VGSth max	2.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)
Anstiegszeit	tr
Ausschaltverzögerung	tD(off)
Abfallzeit	tf
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas
Eingangskapazität	Ciss	50 pF
Ausgangskapazität	Coss	25 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	5 pF
Sperrverzugsladung	Qrr