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Leistungshalbleiter in diskreten Bauformen spielen in der modernen Energieversorgung eine wichtige Rolle. Elektrische Energie wird mit Hilfe von Wechselstrom (AC) über weite Strecken transportiert und verteilt. Wind- und Wasserturbinen, aber auch konventionelle Kraftwerke erzeugen Wechselstrom. Photovoltaik (PV)-Anlagen und Batteriespeichersysteme arbeiten dagegen mit Gleichstrom (DC). Die wachsende Flotte von Elektroautos kann als riesiger „virtueller“ Energiespeicher genutzt werden: An sonnigen oder windigen Tagen, wenn viel überschüssige Energie zur Verfügung steht, können Elektroautos, die an öffentlichen Ladesäulen angeschlossen sind, diese Energie in ihren Batterien speichern. Zu Hause, an der privaten Wallbox, kann der Strom selbst genutzt oder ins Netz zurückgespeist werden.

Aber wie funktioniert das? Am Wechselstromnetz werden Brückengleichrichter verwendet, um Wechsel- in Gleichstrom umzuwandeln. Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs erzeugen aus dem Gleichstromzwischenkreis hochfrequente PWM-Signale, die dann über Transformatoren auf das gewünschte Batteriespannungsniveau übertragen werden. SiC-Schottkys am Ausgang richten das hochfrequente Signal in einen Gleichstrom um. Auf diese Weise kann überschüssige Energie in den Bordbatterien gespeichert werden. Bei der Rückspeisung des Stroms ins Netz wird das umgekehrte Konzept verwendet, um die Gleichstromenergie aus der Batterie zurück in das Wechselstromnetz zu übertragen.

Die Diotec Semiconductor AG ist ein weltweit tätiger Hersteller von diskreten Halbleiterbauelementen mit Hauptsitz in Deutschland und mehr als 50 Jahren Erfahrung. Umfassendes Know-how und eigene Produktion vom Front-End bis zum Back-End ermöglichen es Diotec, ein breites Produktspektrum mit kurzen Lieferzeiten und zu wettbewerbsfähigen Preisen anzubieten. Mit eigenen Werken in Deutschland, Slowenien, Indien und China ist Diotec bestrebt, seine Kunden mit exzellenten Produkten und einem hohen Serviceniveau zufrieden zu stellen.

Das Produktionsprogramm umfasst modernste Leistungshalbleiter wie Brücken-, Hochspannungs- und superschnellen Gleichrichtern, Zener-, Schottky-, TVS- und ESD-Dioden, Kleinsignalbauelementen, Spannungs- und Shuntreglern, MOSFETs und IGBTs. Zu den neuesten Entwicklungen gehören AEC-Q101 qualifizierte Leistungs-MOSFETs in kleinen QFN-Gehäusen für Batterie-Management-Systeme (BMS), SiC-MOSFETs im TO-247-4L-Gehäuse mit Kelvin-Source für hocheffiziente Umrichter sowie Brückengleichrichter mit niedriger Vorwärtsspannung für energiesparende Stromwandlung.