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Der neu eingeführte SiC-MOSFET von Diotec, der DI075SIC055D7, ist ein aussichtsreicher Kandidat für 400-V-E-Fuse-Anwendungen, bei denen eine schnelle Fehlerunterbrechung, extrem geringe Durchlassverluste und robuste Hochspannungszuverlässigkeit in einer kompakten Lösung gefordert sind. Mit einer Drain-Source-Durchbruchspannung von 750 V bietet das Bauelement eine komfortable Sicherheitsmarge für 400-V-Gleichstrom-Bussysteme und gewährleistet eine robuste Leistung gegenüber Spannungstransienten, Schaltstößen und fehlerbedingter Überlastung. Sein niedriger RDS(on)-Wert von 55 mΩ ermöglicht eine Reduzierung der Leitungsverluste, was den Gesamtwirkungsgrad des Systems direkt steigert und gleichzeitig die Eigenerwärmung im stationären Betrieb verringert. Das Gerät ist in einem D2PAK-7L-Gehäuse untergebracht und ermöglicht so eine kompakte Lösung für die Oberflächenmontage. Dies verbessert die Skalierbarkeit in automatisierten Fertigungsprozessen und steigert gleichzeitig die elektrische Leistung sowie die praktische Wärmeableitung bei Hochspannungs-Leistungsdesigns. Ergänzend zu diesen Merkmalen bieten die Nennleistung von 214 W und die maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C einen erheblichen thermischen Spielraum und sorgen so für entscheidende Designflexibilität in Anwendungen mit begrenztem Platzangebot, in denen die Kühlinfrastruktur naturgemäß eingeschränkt ist. Letztendlich verkörpert der DI075SIC055D7 die zentralen Vorteile der SiC-Technologie: schnelle Fehlerreaktion, verlustarme Leitung, Hochspannungsrobustheit und zuverlässiger Betrieb in einem platzsparenden Gehäuse, das für den E-Fuse-Schutz der nächsten Generation entwickelt wurde.

Merkmale

• Hohe Durchbruchspannung in Sperrrichtung
• Fortschrittliche Planar-Technologie
• Geringer Durchlasswiderstand
• Schnelle Schaltzeit bei geringer Kapazität
• Geringe Gate-Ladung
• Geringe Gesamtschaltleistung
• Muster erhältlich

 

Anwendungen

• Ladesysteme für Elektrofahrzeuge (EV)
• Solarwechselrichter
• Stromversorgungen für die Telekommunikation
• Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
• Schaltnetzteile (SMPS)
• DC/DC-Wandler
• Industriemaschinen
• Motorantriebe

 

Spezifikationen

• 750 V Drain-Source-Spannung (VDSS)
• Maximal 55 mΩ Durchlasswiderstand (RDS(on))
• 100 µA Drain-Source-Leckstrom (IDSS)
• Gate-Source-Spannung (VGSS) von -10 V bis 22 V
• Empfohlene Gate-Einschaltspannung VGS(on) von 18 V
• Empfohlene Gate-Ausschaltspannung VGS(off) von -3 V
• Verlustleistung (Ptot) von 214 W
• Spitzen-Drain-Strom (IDM) von bis zu 132 A
• Maximaler thermischer Widerstand (RthC) von 1,1 K/W
• Betriebsbereich der Sperrschichttemperatur (Tj) von -55 °C bis +175 °C