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Die SI02C120SMA von Diotec Semiconductor ist eine 2 A / 1200 V Siliziumkarbid-Schottkydiode, die in einem kompakten DO-214AA (SMA)-Gehäuse untergebracht ist. Sie zeichnet sich durch eine hohe Sperrspannung von 1200 V in Kombination mit einer extrem niedrigen Sperrverzugsladung und einer niedrigen Speicherkapazität aus. Dies erhöht die Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Anwendungen, und macht die SI02C120SMA zur optimalen Bootstrap-Diode für den Betrieb von SiC-MOSFETs in einer High-Side-Konfiguration (HS).

Die Ansteuerung eines HS-SiC-MOSFETs ist aufgrund seines schwebenden Source-Spannungsknotens VS, der in einer typischen Anwendung mehrere hundert Volt erreicht, eine erhebliche Herausforderung. Um den SiC-MOSFET effektiv einzuschalten, muss die Gate-Spannung Vg ausreichend über VS vorgespannt werden. Eine der kostengünstigsten Methoden, dies zu erreichen, ist das Bootstrapping. Herkömmliche Bootstrap-Schaltungen können jedoch insbesondere hinsichtlich des Tastverhältnisses und der Betriebsfrequenz Einschränkungen unterliegen, was in erster Linie auf die sich schnell wiederholende Ladung des Bootstrap-Kondensators zurückzuführen ist. Diese Einschränkungen können durch die neue SI02C120SMA erheblich verbessert werden. Da sie höheren und sich hochfrequent wiederholenden Spitzenströmen standhält, kann ein Bootstrap-Widerstand vermieden werden, wodurch der Lade- und Entladevorgang beschleunigt wird. Darüber hinaus trägt ihre geringere Sperrschichtkapazität dazu bei, dass mögliche EMI-induzierte Schwingungen unterdrückt werden, und die Wahrscheinlichkeit einer falschen Auslösung der Unterspannungsabschaltung (UVLO) durch den Gate-Treiber verringert wird. Die überragende Leistung dieser SiC-Diode übertrifft die von ultraschnellen Siliziumdioden mit Soft-Recovery und macht sie zum bevorzugten Ersatz bei der Auswahl von Bootstrap-Dioden.

Merkmale

• Hohe Sperrspannung
• Nahezu keine Schaltverluste
• Geringer Sperrstrom
• Hocheffizientes Hochfrequenzschalten
• Kompaktes SMD-Gehäuse

Anwendungen

• Hilfsstromversorgung
• Industrielle Antriebe
• EV-Ladegeräte
• Solarwechselrichter
• Telekommunikationsstromversorgungen
• Leistungsfaktorkorrektur

Spezifikationen

• 2 A durchschnittlicher Durchlassstrom bei 160 °C (IFAV)
• 1200 V wiederholbare Sperrspannung (VRRM)
• Typische Durchlassspannung 1,40 V bei 2 A und 25 °C (VF)
• Typischer Sperrstrom 2 µA bei 1200 V und 175 °C (IR)
• Gesamtkapazitätsladung 16 nC bei 800 V, 2 A, 200 A/µs [QC)
• DO-214AC (SMA) Gehäuse