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DI040N03PT-AQ 采用小型QFN3x3，即所谓的“无铅”电源封装，其中的连接几乎全部“隐藏”在设备的底部。 因此，电路板空间要求不超过3.3 x 3.3 mm2这个尺寸。 该MOSFET的低Rds（on）通常为6 mOhm，在25°C的外壳温度下，漏极电流高达40A。 漏极-源极电压可高达30 V，单脉冲雪崩能力为100 mJ。 零件不仅适用于直流工作，而且由于其低导通和关断特性，也适用于高频开关。 典型应用包括USB充电器，电源管理，电池供电设备，负载开关和极性保护。 DI040N03PT-AQ为AEC-Q101， DI040N03PT 为商业级。 样品有现货供应。请放心申请。