Neueste Meldungen von Diotec

Diotec Semiconductor stellt seinen neuesten Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET DIW065SIC015 vor, der mit 15 mΩ den niedrigsten RDS(on)-Wert in seinem Portfolio aufweist. Er ist im klassischen und weit verbreiteten TO-247-3L-Gehäuse aufgebaut, das sich leicht in das Schaltungsdesign jeder Hochleistungsanwendung integrieren lässt. Dieses Bauelement ist ideal für hocheffiziente hochgetaktete Stromversorgungen, die in Serverstationen eingesetzt werden. Darüber hinaus kann es ein breites Spektrum unterschiedlicher Anwendungen abdecken, wie z. B. Photovoltaik-Wechselrichter, Industrieantriebe und Umrichtersysteme.

In der Leistungselektronik ist die Industrie bestrebt, höhere Leistungen bei gleichbleibendem oder verbessertem Gesamtwirkungsgrad zu liefern. Die SiC-Technologie der nächsten Generation ist auf dem Vormarsch und stellt ihre traditionellen Vorgänger, die Si-basierten Leistungs-MOSFETs, mit ihrer überlegenen Spannungsfestigkeit und der deutlich geringeren Verlustleistung in den Schatten. Durch den Einsatz der Wide-Bandgap-Technologie können diese Bauelemente auch in Umgebungen mit hohen Temperaturen zuverlässig arbeiten. Darüber hinaus weisen SiC-MOSFETs aufgrund ihrer geringeren Schaltzeiten geringere Schaltverluste pro Zyklus auf, was den Wirkungsgrad verbessert und höhere Schaltgeschwindigkeiten in Leistungsumwandlungssystemen ermöglicht. SiC-MOSFETs entwickeln sich daher zur primären Lösung für eine Vielzahl von Anwendungen, insbesondere für hochfrequent getaktete Hochspannungsschaltungen, bei denen Si-basierte IGBTs nur begrenzt einsetzbar sind.