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DI0A35N06PGK – Klein im Design. Groß in der Leistung.

Diotec erweitert sein MOSFET-Portfolio um den DI0A35N06PGK, einen 60-V-N-Kanal-Logikpegel-MOSFET mit 350 mA im ultrakompakten DFN1006-3-Gehäuse. Dieses Bauteil wurde für die Industrieelektronik der nächsten Generation entwickelt und bietet eine effiziente Schaltleistung, während es nur einen Bruchteil der Leiterplattenfläche beansprucht, die herkömmliche Gehäuse benötigen.

Der DI0A35N06PGK ist für den direkten Antrieb durch moderne Mikrocontroller und Niederspannungs-Logikschaltungen optimiert und bietet schnelles Schalten, geringe Gate-Ansteuerungsanforderungen sowie hohen Wirkungsgrad. Damit ist er die ideale Wahl für platzbeschränkte Designs, bei denen Leistung und Zuverlässigkeit gleichermaßen wichtig sind.

Zu den typischen Anwendungen zählen industrielle Automatisierungsgeräte, SPS-E/A-Module, Sensorschnittstellen, elektronische Lastschaltung, Energiemanagementschaltungen, batteriebetriebene Industriegeräte und die Steuerung von Aktuatoren mit geringem Stromverbrauch. Dank seiner winzigen Bauform können Entwickler die Funktionalität erhöhen, die Leiterplattengröße reduzieren und den wachsenden Anforderungen an kompakte elektronische Systeme mit hoher Packungsdichte gerecht werden.

Mit dem DI0A35N06PGK müssen Entwickler keine Kompromisse mehr zwischen Größe und Leistung eingehen und können so zuverlässiges Schalten auf Logikpegel bei 60 V in Anwendungen realisieren, bei denen jeder Millimeter zählt.

 

Merkmale

  • Ultrakompaktes DFN1006-3-Gehäuse
  • Schnelle Schaltzeiten
  • Geringe Gate-Ladung
  • Schalten auf Logikpegel
  • Integrierter ESD-Schutz am Gate
  • RoHS- und REACH-konform
  • Zuverlässiger Betrieb

 

Anwendungen

  • Industrielle Automatisierungs- und Steuerungssysteme
  • Stromversorgungsmodule
  • Elektronische Lastschalter
  • Batteriebetriebene Geräte
  • Verpolungsschutzschaltungen
  • SPS-E/A-Module
  • Sensorschnittstellen
  • Aktuator- und Relaistreiber mit geringem Stromverbrauch
  • Tragbare Elektronik und Elektronik mit begrenztem Platzangebot

 

Spezifikationen

  • 350 mA Dauer-Drain-Strom (ID)
  • 60 V Drain-Source-Spannung (VDS)
  • 1,2 A Spitzen-Drain-Strom (IDM)
  • Sperrschichttemperatur von -55 °C bis 150 °C (Tj)
  • 0,5 V bis 1 V Gate-Source-Schwellenspannung (VGS(th))
  • Gate-Source-Widerstand im eingeschalteten Zustand < 1,4 Ω bei VGS = 10 V (RDS(on)(max))
  • Typische Gate-Ladung von 1,9 nC (Qg)
  • Gehäuseform DFN1006-3

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