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- BCP55-10 BJT, SOT-223, 60V, 1000mA, NPN, 2W, 150°C
- BCP55-16 BJT, SOT-223, 60V, 1000mA, NPN, 2W, 150°C
- BCP55-16-AQ BJT, SOT-223, 60V, 1000mA, NPN, 2W, 150°C, AEC-Q101
- LDI559-1.8EN VR, SOT-23-5, 18V, 1.76V, 1.84V, 125°C, 0.005mA
- DB15-10 Bridge, 3-ph, DB, 1000V, 15A, 150°C
- DB15-12 Bridge, 3-ph, DB, 1200V, 15A, 150°C
- DB15-14 Bridge, 3-ph, DB, 1400V, 15A, 150°C
- DB15-16 Bridge, 3-ph, DB, 1600V, 15A, 150°C
- DB25-10 Bridge, 3-ph, DB, 1000V, 25A, 150°C
- DB25-12 Bridge, 3-ph, DB, 1200V, 25A, 150°C
- DB25-14 Bridge, 3-ph, DB, 1400V, 25A, 150°C
- DB25-16 Bridge, 3-ph, DB, 1600V, 25A, 150°C
- DB25-18 Bridge, 3-ph, DB, 1800V, 25A, 150°C
- DB35-10 Bridge, 3-ph, DB, 1000V, 35A, 150°C
- DB35-12 Bridge, 3-ph, DB, 1200V, 35A, 150°C
- DB35-14 Bridge, 3-ph, DB, 1400V, 35A, 150°C
- DB35-16 Bridge, 3-ph, DB, 1600V, 35A, 150°C
- DBI25-12A Bridge, 3-ph, DBI, 1200V, 25A, 175°C
- DBI25-16A Bridge, 3-ph, DBI, 1600V, 25A, 175°C
- DBI25-18A Bridge, 3-ph, DBI, 1800V, 25A, 175°C
- LDI75-1.8 VR, SOT-23, 7V, 1.76V, 1.84V, 125°C, 0.004mA
- BCX56-16 BJT, SOT-89, 80V, 1000mA, NPN, 0.5W, 150°C
- BCX56-16-AQ BJT, SOT-89, 80V, 1000mA, NPN, 0.5W, 150°C, AEC-Q101
- PPS1545-3G Schottky, TO-277B, 45V, 15A, 150°C
- KBPC10/15/2501FP Bridge, 1-ph, KBPC, 100V, 25A, 150°C
- KBPC10/15/2501WP Bridge, 1-ph, KBPC, 100V, 25A, 150°C
- KBPC10/15/2510FP Bridge, 1-ph, KBPC, 1000V, 25A, 150°C
- KBPC10/15/2510WP Bridge, 1-ph, KBPC, 1000V, 25A, 150°C
- PPS5100 Schottky, TO-277B, 100V, 5A, 150°C
- PW4512 Diode, TO-247-2L, 1200V, 45A, 150°C
- PW4516 Diode, TO-247-2L, 1600V, 45A
- KBPC3510FP Bridge, 1-ph, KBPC, 1000V, 35A, 150°C
- PPS1045-3G Schottky, TO-277B, 45V, 10A, 150°C
- 1N4007 Diode, DO-41, 1000V, 1A, 175°C
- BAS40-05 Schottky, SOT-23, 40V, 0.2A, 150°C
- GBI25W Bridge, 1-ph, GBI, 1600V, 25A, 150°C
- PPH810 Schottky, TO-277B, 100V, 8A, 175°C
- SM4005 Diode, Melf, 600V, 1A, 175°C
- DI002N10PWK MOSFET, PowerQFN 2x2, N, 100V, 2A, 0.25Ω, 150°C
- PPS1060-3G Schottky, TO-277B, 60V, 10A, 150°C
- PPS20100 Schottky, TO-277B, 100V, 20A, 150°C
- Z1SMA15 Zener, SMA, 15V, 1.5W, ±5%
- DI002N10PWK-AQ MOSFET, PowerQFN 2x2, N, 100V, 2A, 0.25Ω, 150°C, AEC-Q101
- DI064P04D1-AQ MOSFET, DPAK, P, -40V, -64A, 7.6mΩ, 150°C, AEC-Q101
- GBI40W Bridge, 1-ph, GBI, 1600V, 40A, 150°C
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结果 1951 - 1960 of 2616 含有 評価方法基準第5の5の5-1 (0.071 秒)
Leistungstransistor 2SC2983 steuert zuverlässig LED-Blinker an
NPN Leistungs-Bipolartransistor mit 1,5 A und 160 V. Er eignet sich ideal als Bauteil für … LEDs angesteuert werden. Die Gehäusebauform TO-252AA/D-PAK ist einerseits kompakt und bietet … der thermischen Verlustleistung, die bis zu 15 W betragen kann. Dies erhöht die Lebensdauer und … > productlist
Demoboard: Geschützter Automotive USB-Ausgang - Sicheres Laden von Smartphones in Wohnmobilen und mehr
, Changes, Press Releases: stay up to date! 最新动态 21.06.2022 Demoboard: Geschützter Automotive USB-Ausgang - … Gerät beschädigen. Hier kommt das Demoboard 3991 ins Spiel. Es ist mit der TVS-Diode LDP02-28AYD2 … . Es ist ab Ende Q3/2022 erhältlich. Products 3991 index.php > cn > product > 3991
Dual Automotive MOSFET with Protected Gate
, Changes, Press Releases: stay up to date! 最新动态 27.07.2021 Dual Automotive MOSFET with Protected Gate The … types offer a continuous drain current of up to 350 mA at 25°C, a drain-source voltage of max 60 V … a continuous drain current of up to 350 mA at 25°C, a drain-source voltage of max 60 V
Doppel-MOSFET mit geschütztem Gate
, Changes, Press Releases: stay up to date! 最新动态 27.07.2021 Doppel-MOSFET mit geschütztem Gate Der … Typen ermöglichen einen Drain-Strom von bis zu 350 mA bei 25° C, bei einer Drain-Source-Spannung … einen Drain-Strom von bis zu 350 mA bei 25° C, bei einer Drain-Source-Spannung von bis zu …
Prevention of Tin Whisker Growing
带热处理的镀雾锡 锡丝产生的预防 锡丝 带热处理的镀雾锡 该工艺采用镀雾锡，不添加增亮剂，镀锡后在150°C条件下进行至少1小时的热处理。采用这种工艺，即使镀纯锡也可很好地预防锡丝的产生。 … 德欧泰克生产的绝大部分产品使用的是锡银铜合金焊接材料，这种材料采用了热浸镀锡工艺，镀锡后在150°C条件下进行至少1小时的热处理。镀层下面的底材进一步阻止锡丝的产生。综上所述， … 带热处理的镀雾锡 锡丝产生的预防 锡丝 带热处理的镀雾锡 该工艺采用镀雾锡，不添加增亮剂，镀锡后在150°C条件下进行至少1小时的热处理。采用这种工艺，即使镀纯锡也可很好地预防锡丝的产生。 …
时尚的LED灯阵列— 由双晶体管BC846S控制
, Changes, Press Releases: stay up to date! 最新动态 06.11.2023 时尚的LED灯阵列— 由双晶体管BC846S控制 一场温和的革命已经进入我们的家庭、 … 。在光质和节能方面，LED灯具有几个优势。传统光源仅将约5%的能量转化为光，而LED灯则在能量转化为光的效率提高了7倍。它具有更高的发光强度，提供更清晰、 … %的电力。因此，产生的热量非常少，减少了火灾事故的风险。此外，led具有更长的使用寿命，可达到50,000个小时的工作时间-这有助于节省成本，减少材料使用，能源消耗，,最终减少废物产生。 … BC846S
Intelligente Haussteuerungen sparen Energie und vereinfachen den Alltag
, Changes, Press Releases: stay up to date! 最新动态 06.11.2023 Intelligente Haussteuerungen sparen Energie und … Standards wie KNX. Der lineare Spannungsregler LDI1117-3.3U von Diotec wird in der Stromversorgung des … gespart und somit die Umwelt geschützt. Products LDI1117-3.3U cn > product >
智能家居控制节省能源，简化生活
, Changes, Press Releases: stay up to date! 最新动态 06.11.2023 智能家居控制节省能源，简化生活 智能家居设备正在进入我们的私人住宅，以及办公室、 … ，也可以是基于KNX等标准的完全连接的专业安装总线系统。 德欧泰克的线性稳压器 LDI1117-3.3U 用于这类智能家居设备的嵌入式微控制器的电源供应。它提供了一个稳定的3.3 V输出， … ，但从全局的角度来看，这将是节省电力重要的一部分，从而保护了环境。 Products LDI1117-3.3U cn > product > LDI1117-3.3U Applications …
Intelligente Haussteuerungen sparen Energie und vereinfachen den Alltag
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时尚的LED灯阵列— 由双晶体管BC846S控制
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