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德欧泰克半导体最新推出的碳化硅MOSFET——DI075SIC055D7，是 400 V 电子熔断器（E-Fuse）应用的理想之选，尤其适用于需要快速故障中断、超低导通损耗以及紧凑方案中高耐压可靠性的场景。该器件具有 750 V 漏源击穿电压额定值，为 400 V 直流总线系统提供了充足的安全裕量，确保能有效应对电压瞬变、开关尖峰及故障引发的过应力。其 55 mΩ 的低导通电阻有助于降低导通损耗，直接提升系统整体效率，同时减少稳态运行时的自发热。该器件采用 D2PAK-7L 封装，提供紧凑的表面贴装方案，不仅提升了自动化制造的可扩展性，还增强了高压功率设计的电气性能与实用散热能力。此外，214 W 的功率额定值和 175 °C 的最高结温提供了充足的热余量，为散热条件本就受限的空间紧凑型应用带来了关键的设计灵活性。总而言之，DI075SIC055D7体现了 SiC 技术的核心优势：快速故障响应、低损耗导通、高耐压可靠性，以及专为下一代 E-Fuse 保护而设计的紧凑高效封装中的稳定运行。

特性

• 高反向击穿电压
• 先进的平面技术
• 低导通电阻
• 快速开关时间且低电容
• 低栅极电荷
• 低总开关能量
• 可提供样品

 

应用

• 电动汽车(EV)充电系统
• 太阳能逆变器
• 电信电源
• 功率因数校正(PFC)
• 开关模式电源(SMPS)
• DC/DC 转换器
• 工业机械
• 电机驱动

 

规格

• 750V漏源电压 (VDSS)
• 最大55mΩ 导通电阻 (RDS(on))
• 100µA漏源漏电流(IDSS)
• 栅源电压范围 -10V至22V (VGSS)
• 推荐开启栅极电压 VGS(on) 为18V
• 推荐关断栅极电压 VGS(off) 为 -3V
• 214W功耗（Ptot）
• 峰值漏极电流高达132A(IDM)
• 最大热阻 1.1K/W (RthC)
• 工作结温范围 -55°C至+175°C (Tj)
• 工业级D2PAK-7L封装，带开尔文源极接触