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DI0A35N06PGK——设计小巧，性能强大。

德欧泰克半导体推出DI0A35N06PGK，进一步扩展我们的MOSFET产品线。这是一款采用超紧凑DFN1006-3封装的60V、350mA，N 沟道逻辑电平MOSFET。专为新一代工业电子产品设计，该器件在提供高效开关性能的同时，仅占用传统封装所需 PCB 面积的一小部分。

DI0A35N06PGK针对现代微控制器和低压逻辑电路直接驱动进行了优化，具有快速开关、低栅极驱动要求和高效率的特点，是空间受限设计中性能和可靠性并重的理想选择。

典型应用包括工业自动化设备、PLC I/O 模块、传感器接口、电子负载开关、电源管理电路、电池供电的工业设备以及低功率执行器控制。其微型封装使工程师能够增加功能、减小电路板尺寸，并满足对紧凑型高密度电子系统日益增长的需求。

借助DI0A35N06PGK，设计人员无需在尺寸和性能之间妥协，可在每个毫米都至关重要的应用中实现可靠的60V逻辑电平开关。

特性

  • 超紧凑DFN1006-3封装
  • 快速开关时间
  • 低栅极电荷
  • 逻辑电平开关
  • 集成栅极 ESD 保护
  • 符合RoHS和REACH标准
  • 工作可靠

 

应用

  • 工业自动化和控制系统
  • 电源管理单元
  • 电子负载开关
  • 电池供电设备
  • 极性保护电路
  • PLC I/O 模块
  • 传感器接口
  • 低功率执行器和继电器驱动器
  • 便携式和空间受限的电子产品

 

Specifications

  • 350 mA 连续漏极电流（ID）
  • 60 V漏源电压（VDS）
  • 1.2 A 峰值漏极电流（IDM）
  • 结温范围 -55°C 至 150°C（Tj）
  • 栅源阈值电压 0.5 V 至 1 V（VGS(th)）
  • 栅源导通电阻：VGS = 10 V 时小于 1.4 Ω（RDS(on)(max)）
  • 典型栅极电荷 1.9 nC（Qg）
  • 封装形式：DFN1006-3

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