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Kennen Sie schon unsere Bootstrap-Diode BYG23T im SMA-Gehäuse? Sie eignet sich hervorragend für die Spannungsversorgung von "High-Side" Gate-Treibern mit schwebendem Potential. Die Herausforderung besteht hier darin, ein robustes Bauteil auszuwählen im Hinblick auf Spannungsspitzen beim Ausschalten der unten liegenden MOSFETs oder IGBTs, sowie auf die Stromstöße beim Wiederaufladen des Speicherkondensators. Ein Betrieb mit hoher Frequenz ist hierbei Stand der Technik.

Die BYG23T bietet eine Avalanche-Festigkeit von 5mJ bei einer Abbruchspannung von 1350V und einer Sperrverzugszeit von 75ns. Der wiederholbare Spitzenstrom beträgt 3A, der Dauergrenzstrom liegt bei 1A.
Am Markt erhältlich sind Halbbrücken-Treiber mit integrierter Bootstrap-Diode. Die Gesamtverluste solcher Treiber-ICs ergeben sich aus den Verlusten der Gate-Treiberschaltung plus denen der internen Bootstrap-Diode. Schwierigkeiten solcher Schaltungen zeigen sich insbesondere beim Betrieb mit hohen Frequenzen und an hohen Ladekapazitäten. Hier dominieren die Schaltverluste in der internen Bootstrap-Diode und können zu Fehlfunktionen des Treibers und damit des Frequenzumrichters führen.

Eine externe Bootstrap-Diode, parallelgeschaltet zur internen, kann das Problem der übermäßigen Verluste im Gatetreiber-IC deutlich reduzieren. Eine rein separate Lösung ist natürlich ebenso möglich.