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Die BAV99L-AQ von Diotec ist eine Doppel-Kleinsignaldiode, die für den universellen Einsatz in 48-V-Telekom-Versorgungen und Batteriemanagementsystemen (BMS) für (Hybrid-) Elektrofahrzeuge ([H]EV) entwickelt wurde. Mit einer Schaltzeit von unter 4 Nanosekunden, einer Spitzen-Sperrspannung von 100 V und einem Durchlassstrom von 2 × 125 mA schützt sie empfindliche Komponenten und ermöglicht die zuverlässige Hochgeschwindigkeits-Datenübertragung.

Batteriemanagementsysteme spielen eine entscheidende Rolle in Mehrzellenkonfigurationen, da sie die Sicherheit, Zuverlässigkeit und Lebensdauer der Batterie maximieren.
Sie überwachen den Ladezustand (SOC) und den Alterungsprozess (SOH), verhindern thermische Risiken, Über- und Unterspannung, Überstrom, Kurzschlüsse und Überhitzung. Außerdem verwalten sie den Zellausgleich, steuern das Laden/Entladen und kommunizieren mit Ladegeräten oder Steuereinheiten.

Der BAV99L-AQ eignet sich perfekt für diese Aufgaben:

• Ableiten schneller Transienten zu Masse oder Versorgungsspannung
• Überspannungsschutz von Mikrocontrollern, Sensoren und MOSFETs
• Freilaufdioden für kleine Relaisspulen (Vorwärtsspitzenstrom 1 A für 1 ms)
• Schutz von Signalen vor Rückströmen an Sensorausgängen oder Gateway-Ports

Dank ihrer geringen Kapazität (< 2 pF) und ihrer ultraschnellen Schaltgeschwindigkeit eignet sie sich ideal für Verteilungslogik, Alarm-Grenzwerte und Statusanzeigen. Die vollständig AEC-Q101-qualifizierte BAV99L-AQ ist in großen Stückzahlen erhältlich und bietet eine zuverlässige, leistungsstarke Lösung für Automobil- und Telekommunikationsanwendungen.

Key Features:

• Zwei Dioden in Reihenschaltung
• Hochgeschwindigkeitsschalten (< 4 ns)
• AEC-Q101-qualifiziert

Anwendungen:

• Automobilelektronik und Displays
• Infotainmentsysteme
• Telekom-Notstromversorgung
• Lichttechnik

Technische Daten:

• Wiederholbare Sperrspannung (VRRM): 100 V
• Sperrgleichspannung (VDC): 75 V
• Mittlerer Durchlassstrom: 125 mA bei Belastung beider Dioden oder 250 mA bei Belastung einer einzelnen Diode
• Typische Durchlassspannung (VF): <0,855 V bei 10 mA, 25 °C
• Gehäuse: SOT-23